BAUR SYSCOMPACT 2000M — компактная мобильная система для отыскания мест повреждений кабельных линий (16 кВ)

Назначение установки Syscompact 2000M

Syscompact 2000M является компактной установкой, полностью обеспечивающей поиск неисправностей в кабельных линиях. Эта установка позволяет определить расстояние до места повреждения и обнаружить повреждение кабеля непосредственно на трассе как в случае повреждений типа «обрыв» и «короткое замыкание», так и в случае высокоомных повреждений и заплывающих пробоев без использования прожига. Новый цифровой рефлектометр в сочетании с мощным генератором высоковольтных импульсов и устройством поддержания дуги в месте высокоомного повреждения дают возможность обнаруживать повреждения на кабелях протяженностью до 65 км. Легкость управления и использование полного спектра методов обнаружения повреждений в кабелях позволяет определять место повреждения кабеля менее чем за 1 час.

Компактность установки, малый вес и высокая мобильность делают ее незаменимой для предприятий городских электросетей, производственных предприятий различных профилей, а также сетевых предприятий по передаче и распределению электроэнергии.

Особенности установки Syscompact 2000M

• Поиск низкоомных и высокоомных повреждений, заплывающих пробоев;
• Эффективные методы предварительной локации повреждений;
• Точный поиск места повреждения акустическим методом и методом сравнения акустического и электромагнитного сигналов (совместно с локатором UL 30 и BM 30);
• Простота использования.

Методы предварительной локации

• Метод анализа отражения импульсов TDR Рефлектометрия (низкоомные повреждения, обрыв кабельной линии, измерение длинны кабельной линии);
• Импульсно дуговой метод SIM, до 16 кВ (высокоомные повреждения и заплывающие пробои). Позволяет точно определять места повреждений без предварительного прожига;
• Усовершенствованный импульсно дуговой метод SIM-MIM, до 16 кВ (высокоомные повреждения и заплывающие пробои). Позволяет точно определять места повреждений без предварительного прожига;
• Дифференциальный метод вторичного импульса SIM (высокоомные повреждения и заплывающие пробои);
• Метод колебательного разряда с осцилляцией по току ICM, до 16 кВ (высокоомные повреждения, заплывающие пробои и увлажнённая изоляция).